SATRI-PhonoEQII

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 最近はデジタル系に注力するとこが多くなって、アナログはすっかりご無沙汰だったが年末の某会の出し物もあるので久しぶりにPhonoEQを作成した。

 今回も同じくSATARI-ICを中心にした電流入力タイプのMC用イコライザで、基板も前回と同様に汎用のKIT-1001基板を使用した。まったく同じでも芸がないので、今回は出力段にV11を搭載することをポイントに検討を進め、この基板内で何とかなりそうな見通しがついたので製作を始めた。

 初段はもちろんSATRI-ICで、写真はテスト用でV4.3がついているが、完成版は最新のSP-V1.0に挿し替える予定。これとV5.1レジンは基板側をピンソケットにして交換ができるようにしている。V5.1とはSATRI-ICのバイアスを安定化して電源の影響を減らすオプションのハイブリッドICのこと。
 これにバクーンいうところのDGC回路によるRIAAサーキットを繋ぐ。これをFETバッファで受けることでゲインと周波数帯域を延ばしていて、これをV8回路と称している。
 この出力をバッファリングする終段が今回の新しいV11回路になる。V11出力段は出力FETの動作条件を固定化し安定的に動作させるという意味がある。BPでは最新版はV11.1となっているが今回の出力段は通常のラインアウトなので基本的にA級動作となり、AB級用の長時間補正のV11.1の必要は無い。

 V11という回路はPP出力段(今回はFET)のコンプリ出力素子のソースをそれぞれ別個に定電流で引いたもので、出力はそれぞれのソースを低抵抗で合成して出力する。定電流で引かれたソース電位はそれぞれ別のDCサーボで0Vに安定化されている。この出力段につながる定電流回路はカレントミラーを使い、これにはウィルソン型をさらに改良したV9回路を使用して定電流の精度を上げている。


 本体の概略仕様は電源電圧が±15Vなので最大出力は3.5Vrmsぐらい。ゲインは1kHz15μA入力(MCカートリッジで0.6mV40Ω相当?)で約1Vrms出力となる。
 電圧ゲインとすれば65dBほどだが、電流入力タイプなのでカートリッジのインピーダンスが下がると見かけ上のゲインが上がるので、低インピーダンスカートリッジでも十分なゲインがある。このゲインは前作とほぼ同じくらいにしたので実用上は大丈夫だろう。
 RIAA偏差も実測で20~20kHzで±0.2dB程度には入っている。ノイズなどはケースに入れてみないと分からないので後ほど測定する予定。

 今回のケースも前作と同じタイプのものを使用することにした。左右chの基板を上下に重ね合わせる方式なので比較的コンパクトに収まると思う。
 電源はまだだが、できれば左右別電源としたいところ。こちらはケース加工もまだなので、当面は従来の電源を流用することになるかもしれない。

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